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TK58E06N1,S1X

Hersteller-Teilenummer:	TK58E06N1,S1X
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Teil der Beschreibung:	MOSFET N-CH 60V 58A TO220
Datenblätter:	TK58E06N1,S1X Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand:	Auf Lager
Liefern von:	Hong Kong
Versandweg:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	U-MOSVIII-H
Paket	Tube
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	58A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.4mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 500µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	46 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3400 pF @ 30 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	110W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-220
Paket / Fall	TO-220-3

KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 30

Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ

Frachtberechnung

40 US-Dollar von FedEx.

Ankunft in 3-5 Tagen

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Kostenloser Versand für die ersten 0,5 kg für Bestellungen über 150 $, Übergewicht wird separat berechnet

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