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2SK2967(F)

Hersteller-Teilenummer:	2SK2967(F)
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Teil der Beschreibung:	MOSFET N-CH 250V 30A TO3P
Datenblätter:	2SK2967(F) Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand:	Auf Lager
Liefern von:	Hong Kong
Versandweg:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Tube
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	250 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	30A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	68mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	132 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	5400 pF @ 10 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	150W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-3P(N)
Paket / Fall	TO-3P-3, SC-65-3

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Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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