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ROHM Semiconductor / BSS84XHZGG2CR

BSS84XHZGG2CR

Hersteller-Teilenummer: BSS84XHZGG2CR
Hersteller: ROHM Semiconductor
Teil der Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W
Datenblätter: BSS84XHZGG2CR Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
ANMERKUNG
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
SerieAutomotive, AEC-Q101
PaketTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
TeilestatusActive
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.230mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.3Ohm @ 230mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs-
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds34 pF @ 30 V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)1W (Ta)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
LieferantengerätepaketDFN1010-3W
Paket / Fall3-XFDFN
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