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Rochester Electronics / FQI9N25CTU

FQI9N25CTU

Hersteller-Teilenummer: FQI9N25CTU
Hersteller: Rochester Electronics
Teil der Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 8.8A I2PAK
Datenblätter: FQI9N25CTU Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
ANMERKUNG
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
SerieQFET®
PaketTube
TeilestatusObsolete
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)250 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.8.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs430mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs35 nC @ 10 V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds710 pF @ 25 V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)3.13W (Ta), 74W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
LieferantengerätepaketI2PAK (TO-262)
Paket / FallTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 2000

Minimum: 1

Menge Stückpreis Ext. Preis

Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ

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40 US-Dollar von FedEx.

Ankunft in 3-5 Tagen

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Kostenloser Versand für die ersten 0,5 kg für Bestellungen über 150 $, Übergewicht wird separat berechnet

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