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SIS888DN-T1-GE3

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	ThunderFET®
Paket	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	150 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	20.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	58mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	14.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	420 pF @ 75 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	52W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TA)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Paket / Fall	PowerPAK® 1212-8S

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