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MMSF3P02HDR2SG

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Bulk
Teilestatus	Active
FET-Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	5.6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	75mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	46 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1.4 pF @ 16 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2.5W (Ta)
Betriebstemperatur	-
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	8-SOIC
Paket / Fall	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 5000

Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ

Frachtberechnung

40 US-Dollar von FedEx.

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