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SIAA40DJ-T1-GE3

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	TrenchFET® Gen IV
Paket	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.5mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	12 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	+20V, -16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1200 pF @ 20 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	19.2W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	PowerPAK® SC-70-6 Single
Paket / Fall	PowerPAK® SC-70-6

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Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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