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IRLD110

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Tube
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	1A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	540mOhm @ 600mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	6.1 nC @ 5 V
Vgs (Max)	±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	250 pF @ 25 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	1.3W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Paket / Fall	4-DIP (0.300", 7.62mm)

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