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RJK2009DPM-00#T0

Hersteller-Teilenummer:	RJK2009DPM-00#T0
Hersteller:	Renesas Electronics America
Teil der Beschreibung:	MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM
Datenblätter:	RJK2009DPM-00#T0 Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand:	Auf Lager
Liefern von:	Hong Kong
Versandweg:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Tube
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	40A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	36mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	72 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2900 pF @ 25 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	60W (Tc)
Betriebstemperatur	-
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-3PFM
Paket / Fall	TO-3PFM, SC-93-3

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