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Renesas Electronics America / RJL6012DPE-00#J3

RJL6012DPE-00#J3

Hersteller-Teilenummer: RJL6012DPE-00#J3
Hersteller: Renesas Electronics America
Teil der Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 10A 4LDPAK
Datenblätter: RJL6012DPE-00#J3 Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
Serie-
PaketTube
TeilestatusActive
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.10A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.1Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs28 nC @ 10 V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1050 pF @ 25 V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)100W (Tc)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Lieferantengerätepaket4-LDPAK
Paket / FallSC-83
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