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Vishay General Semiconductor – Diodes Division / FB180SA10

FB180SA10

Hersteller-Teilenummer: FB180SA10
Hersteller: Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Teil der Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
SerieHEXFET®
PaketTube
TeilestatusObsolete
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.180A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.5mOhm @ 108A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs380 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds10700 pF @ 25 V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)480W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartChassis Mount
LieferantengerätepaketSOT-227
Paket / FallSOT-227-4, miniBLOC
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Product

FB180SA10

Vishay General Semiconductor – Diodes Division

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