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IR (Infineon Technologies) / IMBG120R030M1HXTMA1
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IMBG120R030M1HXTMA1
| Hersteller-Teilenummer: | IMBG120R030M1HXTMA1 |
| Hersteller: | IR (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung: | TRANS SJT N-CH 1.2KV 56A TO263 |
| Datenblätter: | IMBG120R030M1HXTMA1 Datenblätter |
| Bleifrei-Status / RoHS-Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Lagerzustand: | Auf Lager |
| Liefern von: | Hong Kong |
| Versandweg: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- ANMERKUNG
- IR (Infineon Technologies) IMBG120R030M1HXTMA1 ist unter chipnets.com erhältlich. Wir verkaufen nur Neu- und Originalteile und bieten 1 Jahr Garantiezeit. Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen besseren Preis beantragen möchten, kontaktieren Sie uns bitte, klicken Sie auf den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot.
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Spezifikation
| Typ | Beschreibung |
|---|---|
| Serie | CoolSiC™ |
| Paket | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1.2 kV |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 56A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 25A, 18V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.7V @ 11.5mA |
| Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs | 63 nC @ 18 V |
| Vgs (Max) | +18V, -15V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2.29 nF @ 800 V |
| FET-Funktion | Standard |
| Verlustleistung (max.) | 300W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO263-7-12 |
| Paket / Fall | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
KAUFOPTIONEN
Lagerbestand: Versand am selben Tag
Minimum: 1
| Menge | Stückpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ |
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Frachtberechnung
40 US-Dollar von FedEx.
Ankunft in 3-5 Tagen
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Kostenloser Versand für die ersten 0,5 kg für Bestellungen über 150 $, Übergewicht wird separat berechnet
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