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NVD3055L170T4G-VF01

Hersteller-Teilenummer:	NVD3055L170T4G-VF01
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Teil der Beschreibung:	MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Datenblätter:	NVD3055L170T4G-VF01 Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand:	Auf Lager
Liefern von:	Hong Kong
Versandweg:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	Automotive, AEC-Q101
Paket	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	170mOhm @ 4.5A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	10 nC @ 5 V
Vgs (Max)	±15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	275 pF @ 25 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	28.5W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	DPAK
Paket / Fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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