Das Bild dient als Referenz, bitte kontaktieren Sie uns, um das echte Bild zu erhalten

RM2N650LD

ANMERKUNG: Rectron USA RM2N650LD ist unter chipnets.com erhältlich. Wir verkaufen nur Neu- und Originalteile und bieten 1 Jahr Garantiezeit. Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen besseren Preis beantragen möchten, kontaktieren Sie uns bitte, klicken Sie auf den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot.

Alle Elektronikkomponenten werden durch ESD-Antistatikschutz sehr sicher verpackt.

package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Tape & Reel (TR)
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	-
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	190 pF @ 50 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	23W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	TO-252-2
Paket / Fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: Versand am selben Tag

Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ

Frachtberechnung

40 US-Dollar von FedEx.

Ankunft in 3-5 Tagen

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Kostenloser Versand für die ersten 0,5 kg für Bestellungen über 150 $, Übergewicht wird separat berechnet

Beliebte Modelle

	RM2N650IP Rectron USA
	RM2N650LD Rectron USA

Dieser Artikel wurde Ihrem Warenkorb hinzugefügt.