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PMXB56ENZ

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Bulk
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	3.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	55mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	6.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	209 pF @ 15 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	DFN1010D-3
Paket / Fall	3-XDFN Exposed Pad

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