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GAN063-650WSAQ

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	Automotive, AEC-Q101
Paket	Tube
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	34.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1000 pF @ 400 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	143W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-247-3
Paket / Fall	TO-247-3

KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 166

Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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Frachtberechnung

40 US-Dollar von FedEx.

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Beliebte Modelle

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