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RM20P30D3

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Tape & Reel (TR)
Teilestatus	Active
FET-Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	20A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.9V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	-
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2130 pF @ 25 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	35W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	8-DFN-EP (3x3)
Paket / Fall	8-PowerVDFN

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