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PHB45NQ10T,118

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	TrenchMOS™
Paket	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	47A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	61 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2600 pF @ 25 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	150W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	D2PAK
Paket / Fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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