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ROHM Semiconductor / RF6E065BNTCR

RF6E065BNTCR

Hersteller-Teilenummer: RF6E065BNTCR
Hersteller: ROHM Semiconductor
Teil der Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6.5A TUMT6
Datenblätter: RF6E065BNTCR Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
Serie-
PaketTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
TeilestatusActive
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.6.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs15.3mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs16.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds680 pF @ 15 V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)910mW (Ta)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
LieferantengerätepaketTUMT6
Paket / Fall6-SMD, Flat Leads
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