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Nexperia / PHT6NQ10T,135

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PHT6NQ10T,135

Hersteller-Teilenummer: PHT6NQ10T,135
Hersteller: Nexperia
Teil der Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
Datenblätter: PHT6NQ10T,135 Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
ANMERKUNG
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
SerieTrenchMOS™
PaketTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
TeilestatusActive
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs21 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds633 pF @ 25 V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
Betriebstemperatur-65°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
LieferantengerätepaketSOT-223
Paket / FallTO-261-4, TO-261AA
KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 8926

Minimum: 1

Menge Stückpreis Ext. Preis

Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ

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