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NTTS2P03R2

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Bulk
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	2.1A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	85mOhm @ 2.48A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	22 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	500 pF @ 24 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	600mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	Micro8™
Paket / Fall	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 169353

Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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Frachtberechnung

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