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Vishay / Siliconix / SQJ840EP-T1_GE3

SQJ840EP-T1_GE3

Hersteller-Teilenummer: SQJ840EP-T1_GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
Teil der Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Datenblätter: SQJ840EP-T1_GE3 Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
ANMERKUNG
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
PaketTape & Reel (TR)
TeilestatusActive
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs9.3mOhm @ 10.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs38 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1900 pF @ 15 V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)46W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
LieferantengerätepaketPowerPAK® SO-8
Paket / FallPowerPAK® SO-8
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