Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / TK12P60W,RVQ
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TK12P60W,RVQ
| Hersteller-Teilenummer: | TK12P60W,RVQ |
| Hersteller: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Teil der Beschreibung: | MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK |
| Datenblätter: | TK12P60W,RVQ Datenblätter |
| Bleifrei-Status / RoHS-Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Lagerzustand: | Auf Lager |
| Liefern von: | Hong Kong |
| Versandweg: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- ANMERKUNG
- Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK12P60W,RVQ ist unter chipnets.com erhältlich. Wir verkaufen nur Neu- und Originalteile und bieten 1 Jahr Garantiezeit. Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen besseren Preis beantragen möchten, kontaktieren Sie uns bitte, klicken Sie auf den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot.
| Typ | Beschreibung |
|---|---|
| Serie | DTMOSIV |
| Paket | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 11.5A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 340mOhm @ 5.8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 600µA |
| Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 890 pF @ 300 V |
| FET-Funktion | Super Junction |
| Verlustleistung (max.) | 100W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | DPAK |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Lagerbestand: Versand am selben Tag
Minimum: 1
| Menge | Stückpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ |
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40 US-Dollar von FedEx.
Ankunft in 3-5 Tagen
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Kostenloser Versand für die ersten 0,5 kg für Bestellungen über 150 $, Übergewicht wird separat berechnet
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