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ROHM Semiconductor / RD3L08BGNTL

RD3L08BGNTL

Hersteller-Teilenummer: RD3L08BGNTL
Hersteller: ROHM Semiconductor
Teil der Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 80A TO252
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
ANMERKUNG
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
Serie-
PaketTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
TeilestatusActive
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs71 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds3620 pF @ 30 V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)119W (Tc)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
LieferantengerätepaketTO-252
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 2311

Minimum: 1

Menge Stückpreis Ext. Preis

Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ

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40 US-Dollar von FedEx.

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