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IPA80R650CEXKSA1

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	CoolMOS™ CE
Paket	Tube
Teilestatus	Discontinued at Digi-Key
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	800 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	4.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	650mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 470µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	45 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1100 pF @ 100 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	33W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	PG-TO220 Full Pack
Paket / Fall	TO-220-3 Full Pack

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Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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