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ES6U41T2R

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Tape & Reel (TR)
Teilestatus	Last Time Buy
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	1.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	240mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	2.2 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	80 pF @ 10 V
FET-Funktion	Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.)	700mW (Ta)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	6-WEMT
Paket / Fall	SOT-563, SOT-666

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Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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