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TK4A55D(STA4,Q,M)

Hersteller-Teilenummer:	TK4A55D(STA4,Q,M)
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Teil der Beschreibung:	MOSFET N-CH 550V 4A TO220SIS
Datenblätter:	TK4A55D(STA4,Q,M) Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand:	Auf Lager
Liefern von:	Hong Kong
Versandweg:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	π-MOSVII
Paket	Tube
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	550 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.88Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	11 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	490 pF @ 25 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	35W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-220SIS
Paket / Fall	TO-220-3 Full Pack

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Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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Frachtberechnung

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