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NXP Semiconductors / PMT29EN,135

PMT29EN,135

Hersteller-Teilenummer: PMT29EN,135
Hersteller: NXP Semiconductors
Teil der Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6A SOT223
Datenblätter: PMT29EN,135 Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
Serie-
PaketTape & Reel (TR)
TeilestatusObsolete
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs29mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs11 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds492 pF @ 15 V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)820mW (Ta), 8.33W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
LieferantengerätepaketSOT-223
Paket / FallTO-261-4, TO-261AA
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