Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) / ZXMN2A02N8TA
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ZXMN2A02N8TA
| Hersteller-Teilenummer: | ZXMN2A02N8TA |
| Hersteller: | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) |
| Teil der Beschreibung: | MOSFET N-CH 20V 8.3A 8SO |
| Datenblätter: | ZXMN2A02N8TA Datenblätter |
| Bleifrei-Status / RoHS-Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Lagerzustand: | Auf Lager |
| Liefern von: | Hong Kong |
| Versandweg: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- ANMERKUNG
- Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) ZXMN2A02N8TA ist unter chipnets.com erhältlich. Wir verkaufen nur Neu- und Originalteile und bieten 1 Jahr Garantiezeit. Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen besseren Preis beantragen möchten, kontaktieren Sie uns bitte, klicken Sie auf den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot.
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Spezifikation
| Typ | Beschreibung |
|---|---|
| Serie | - |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 8.3A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 11A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
| Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs | 18.9 nC @ 4.5 V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 10 V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.56W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Lagerbestand: 50011500
Minimum: 1
| Menge | Stückpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ |
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Frachtberechnung
40 US-Dollar von FedEx.
Ankunft in 3-5 Tagen
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Kostenloser Versand für die ersten 0,5 kg für Bestellungen über 150 $, Übergewicht wird separat berechnet
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