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APTC90DAM60T1G

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	CoolMOS™
Paket	Tray
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	900 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	59A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60mOhm @ 52A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 6mA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	540 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	13600 pF @ 100 V
FET-Funktion	Super Junction
Verlustleistung (max.)	462W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount
Lieferantengerätepaket	SP1
Paket / Fall	SP1

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