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PMZ250UN,315

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	TrenchMOS™
Paket	Bulk
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	2.28A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	300mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	950mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	0.89 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	45 pF @ 20 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2.5W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	DFN1006-3
Paket / Fall	SC-101, SOT-883

KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 90300

Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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