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TK65S04N1L,LQ

Hersteller-Teilenummer:	TK65S04N1L,LQ
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Teil der Beschreibung:	MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
Datenblätter:	TK65S04N1L,LQ Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand:	Auf Lager
Liefern von:	Hong Kong
Versandweg:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	U-MOSVIII-H
Paket	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	65A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.3mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 300µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	39 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2550 pF @ 10 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	107W (Tc)
Betriebstemperatur	175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	DPAK+
Paket / Fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 2643

Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ

Frachtberechnung

40 US-Dollar von FedEx.

Ankunft in 3-5 Tagen

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Kostenloser Versand für die ersten 0,5 kg für Bestellungen über 150 $, Übergewicht wird separat berechnet

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