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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / TK65S04N1L,LQ

TK65S04N1L,LQ

Hersteller-Teilenummer: TK65S04N1L,LQ
Hersteller: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Teil der Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
Datenblätter: TK65S04N1L,LQ Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
SerieU-MOSVIII-H
PaketTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
TeilestatusActive
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.65A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.3mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 300µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs39 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2550 pF @ 10 V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)107W (Tc)
Betriebstemperatur175°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
LieferantengerätepaketDPAK+
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 2643

Minimum: 1

Menge Stückpreis Ext. Preis

Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ

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