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H5N2522LSTL-E

Hersteller-Teilenummer:	H5N2522LSTL-E
Hersteller:	Renesas Electronics America
Teil der Beschreibung:	MOSFET N-CH 250V 20A 4LDPAK
Datenblätter:	H5N2522LSTL-E Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand:	Auf Lager
Liefern von:	Hong Kong
Versandweg:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Tape & Reel (TR)
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	250 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	20A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	47 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1300 pF @ 25 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	75W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	4-LDPAK
Paket / Fall	SC-83

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Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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Frachtberechnung

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