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ROHM Semiconductor / RS1L120GNTB

RS1L120GNTB

Hersteller-Teilenummer: RS1L120GNTB
Hersteller: ROHM Semiconductor
Teil der Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 12A/36A 8HSOP
Datenblätter: RS1L120GNTB Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
ANMERKUNG
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
Serie-
PaketTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
TeilestatusActive
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.12A (Ta), 36A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs12.7mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.7V @ 200µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs26 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1330 pF @ 30 V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)3W (Ta)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Lieferantengerätepaket8-HSOP
Paket / Fall8-PowerTDFN
KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 1055

Minimum: 1

Menge Stückpreis Ext. Preis

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