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Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor / NVMYS4D1N06CLTWG

NVMYS4D1N06CLTWG

Hersteller-Teilenummer: NVMYS4D1N06CLTWG
Hersteller: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Teil der Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 22A/100A LFPAK4
Datenblätter: NVMYS4D1N06CLTWG Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
ANMERKUNG
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
SerieAutomotive, AEC-Q101
PaketTape & Reel (TR)
TeilestatusActive
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.22A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 80µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs34 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2200 pF @ 25 V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)3.7W (Ta), 79W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
LieferantengerätepaketLFPAK4 (5x6)
Paket / FallSOT-1023, 4-LFPAK
KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 3000

Minimum: 1

Menge Stückpreis Ext. Preis

Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ

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