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NTB5605PG

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Tube
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	18.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	140mOhm @ 8.5A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	22 nC @ 5 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1.19 pF @ 25 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	88W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	D2PAK
Paket / Fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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