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STMicroelectronics / STD9N65M2

STD9N65M2

Hersteller-Teilenummer: STD9N65M2
Hersteller: STMicroelectronics
Teil der Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 5A DPAK
Datenblätter: STD9N65M2 Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
ANMERKUNG
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
SerieMDmesh™
PaketTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
TeilestatusActive
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs900mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs10 nC @ 10 V
Vgs (Max)±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds315 pF @ 100 V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)60W (Tc)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
LieferantengerätepaketDPAK
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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