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5HN01M-TL-E-SA

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Bulk
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	50 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	100mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5Ohm @ 50mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	1.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	6.2 pF @ 10 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	150mW (Ta)
Betriebstemperatur	150°C
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	MCP
Paket / Fall	SC-70, SOT-323

KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 246000

Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ

Frachtberechnung

40 US-Dollar von FedEx.

Ankunft in 3-5 Tagen

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