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IXFT4N100Q

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	HiPerFET™
Paket	Tube
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 1.5mA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	39 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1050 pF @ 25 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	150W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	TO-268
Paket / Fall	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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