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STS6P3LLH6

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	DeepGATE™, STripFET™ VI
Paket	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Teilestatus	Active
FET-Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA (Min)
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	12 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1450 pF @ 24 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2.7W (Ta)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	8-SO
Paket / Fall	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Beliebte Modelle

	STS6PF30L STMicroelectronics
	STS6P3LLH6 STMicroelectronics
	STS6NF20V STMicroelectronics

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