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SUM50010E-GE3

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	TrenchFET®
Paket	Tube
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	150A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.75mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	212 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	10895 pF @ 30 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	375W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	TO-263 (D²Pak)
Paket / Fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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