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FQA33N10L

Hersteller-Teilenummer:	FQA33N10L
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Teil der Beschreibung:	MOSFET N-CH 100V 36A TO3P
Datenblätter:	FQA33N10L Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand:	Auf Lager
Liefern von:	Hong Kong
Versandweg:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	QFET®
Paket	Tube
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	36A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	52mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	40 nC @ 5 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1630 pF @ 25 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	163W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-3P
Paket / Fall	TO-3P-3, SC-65-3

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Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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