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FQU2N60TU

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	QFET®
Paket	Tube
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.7Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	11 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	350 pF @ 25 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2.5W (Ta), 45W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	I-PAK
Paket / Fall	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 10164

Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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Frachtberechnung

40 US-Dollar von FedEx.

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