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FDFS2P753Z

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	PowerTrench®
Paket	Bulk
Teilestatus	Active
FET-Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	115mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	9.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	455 pF @ 10 V
FET-Funktion	Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.)	1.6W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	8-SOIC
Paket / Fall	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 432097

Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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Frachtberechnung

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