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R6010ANX

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Bulk
Teilestatus	Not For New Designs
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	10A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	-
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	50W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-220FM
Paket / Fall	TO-220-3 Full Pack

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Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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