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Rochester Electronics / IPAN60R650CEXKSA1
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IPAN60R650CEXKSA1
| Hersteller-Teilenummer: | IPAN60R650CEXKSA1 |
| Hersteller: | Rochester Electronics |
| Teil der Beschreibung: | MOSFET N-CH 600V 9.9A TO220 |
| Datenblätter: | IPAN60R650CEXKSA1 Datenblätter |
| Bleifrei-Status / RoHS-Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Lagerzustand: | Auf Lager |
| Liefern von: | Hong Kong |
| Versandweg: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- ANMERKUNG
- Rochester Electronics IPAN60R650CEXKSA1 ist unter chipnets.com erhältlich. Wir verkaufen nur Neu- und Originalteile und bieten 1 Jahr Garantiezeit. Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen besseren Preis beantragen möchten, kontaktieren Sie uns bitte, klicken Sie auf den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot.
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Spezifikation
| Typ | Beschreibung |
|---|---|
| Serie | CoolMOS™ |
| Paket | Bulk |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 9.9A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 2.4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200µA |
| Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs | 20.5 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 440 pF @ 100 V |
| FET-Funktion | Super Junction |
| Verlustleistung (max.) | 28W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO220 Full Pack |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
KAUFOPTIONEN
Lagerbestand: 946
Minimum: 1
| Menge | Stückpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ |
||
Frachtberechnung
40 US-Dollar von FedEx.
Ankunft in 3-5 Tagen
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Kostenloser Versand für die ersten 0,5 kg für Bestellungen über 150 $, Übergewicht wird separat berechnet
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