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CSD18532NQ5B

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	NexFET™
Paket	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	22A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	64 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	5340 pF @ 30 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	3.2W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	8-VSON-CLIP (5x6)
Paket / Fall	8-PowerTDFN

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