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IRL40B212

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	HEXFET®, StrongIRFET™
Paket	Tube
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	195A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 150µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	137 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	8320 pF @ 25 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	231W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-220AB
Paket / Fall	TO-220-3

KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 381

Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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Frachtberechnung

40 US-Dollar von FedEx.

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