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NTMS4916NR2G

Hersteller-Teilenummer:	NTMS4916NR2G
Hersteller:	Rochester Electronics
Teil der Beschreibung:	SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Datenblätter:	NTMS4916NR2G Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand:	Auf Lager
Liefern von:	Hong Kong
Versandweg:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Bulk
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	7.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	15 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1.376 pF @ 25 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	890mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	8-SOIC
Paket / Fall	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 2336

Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ

Frachtberechnung

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