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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / TPW4R008NH,L1Q

TPW4R008NH,L1Q

Hersteller-Teilenummer: TPW4R008NH,L1Q
Hersteller: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Teil der Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP
Datenblätter: TPW4R008NH,L1Q Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
SerieU-MOSVIII-H
PaketTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
TeilestatusActive
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.116A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs59 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds5300 pF @ 40 V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)800mW (Ta), 142W (Tc)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Lieferantengerätepaket8-DSOP Advance
Paket / Fall8-PowerVDFN
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Minimum: 1

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